ESTUDIO AB INITIO DE ESTRUCTURA Y ELECTRONICA DEL (Si,Ge)xZ(1-x) (Z= B, Al, Ga, In y Tl)

Autores/as

  • Edison F. Cudris G.
  • John H. Diaz F.
  • Miguel J. Espitia R.

Resumen

En este trabajo se presenta, a partir de primeros principios, haciendo uso de la teoría del funcional de la densidad (DFT), una simulación computacional, del cambio que sufren las propiedades estructurales y electrónicas del Si y el Ge a medida que se incorporan elementos de la columna III de la tabla Periódica. Los elementos que se incorporaron sustitucionalmente fueron B, Al, Ga, In y Tl con X = 0.125 y 0.5, para SixZ(1-x) y X = 0.5, para GexZ(1-x). Se obtienen la constante de red, el módulo de volumen, la energía de cohesión y la estructura de bandas del (Si, Ge)xZ (1-x).
|Resumen
= 11 veces |

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Biografía del autor/a

Edison F. Cudris G.

Maestria en Ciencias Física, Universidad Distrital Francisco José de Caldas, Bogotá Colombia

John H. Diaz F.

Maestria en Ciencias Física, Universidad Distrital Francisco José de Caldas, Bogotá Colombia

Miguel J. Espitia R.

Doctor en Ciencias Física, Universidad Distrital Francisco José de Caldas, Bogotá Colombia

Descargas

Publicado

2014-05-28

Cómo citar

Cudris G., E. F., Diaz F., J. H., & Espitia R., M. J. (2014). ESTUDIO AB INITIO DE ESTRUCTURA Y ELECTRONICA DEL (Si,Ge)xZ(1-x) (Z= B, Al, Ga, In y Tl). Revista Colombiana De Materiales, (5), 200–207. Recuperado a partir de https://revistas.udea.edu.co/index.php/materiales/article/view/19653