ESTUDIO TEÓRICO UTILIZANDO PRIMEROS PRINCIPIOS DEL TiO2 DOPADO CON N, Cr, V, Co, Al, Ga

Abstract

Se presenta un estudio del cambio de las propiedades electrónicas y estructurales del Oxido de Titanio en fase rutilo, usando primeros principios, basados en la Teoría del Funcional de la Densidad. Se determinaron los cambios en la estructura cristalina, la estructura de bandas y la densidad de estados (DOS) con elementos dopantes por sustitución (N, Cr, V, Co, Al, Ga) y adicionalmente cuando hay vacancias de Ti y O, cambiando así de concentración. Se muestra que las impurezas introducidas hacen que la brecha de TiO2 varíe, dependiendo del elemento dopante. Se compara la tendencia del aumento de la constante de red y el crecimiento de la energía del cristal con la incorporación del elemento dopante, con el radio atómico y el radio covalente.