MULTILAYERS GROWTH OF AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs USING A SOLID-ARSENIC-BASED MOCVD SYSTEM

  • Joel Díaz Reyes
  • Roberto Castillo Ojeda
  • Javier Martínez Juárez

Resumen

Reportamos los resultados de los estudios relacionados con el crecimiento y caracterización de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs heteroestructuras epitaxiales obtenidos por MOCVD con arsénico sólido como precursor del arsénico en lugar de arsina como se utiliza en sistemas MOCVD convencionales. El uso de arsénico metálico introduce diferencias importantes en el proceso de crecimiento, debido a la ausencia del grupo precursor de hidruro (AsH3) que se manifiesta en las características eléctricas y ópticas del GaAs y sus aleaciones. La dificultad más grave para el crecimiento de capas epitaxiales de AlxGa1-xAs y GaAs por MOCVD-basado en arsénico es la incorporación de una gran cantidad de impurezas residuales como el carbono y el oxígeno provenientes de los compuestos organometálicos. Además, la morfología superficial de las capas finales presentan un alto grado de rugosidad que hace imposible la fabricación de dispositivos basados en efectos cuánticos con propiedades ópticas óptimas, aunque estas capas se pueden usar para la fabricación de otros tipos de dispositivos basados en múltiples capas. La homogeneidad de las muestras fue evaluada por fotoluminiscencia a baja temperatura y espectroscopia Raman.
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Biografía del autor/a

Joel Díaz Reyes
Ph. D., CIBA, Instituto Politécnico Nacional. Tepetitla, Tlaxcala. México
Roberto Castillo Ojeda
Ph. D., Universidad Politécnica de Pachuca, Municipio de Zempoala, Hidalgo. México
Javier Martínez Juárez
Ph. D., Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla. México
Publicado
2014-05-23
Cómo citar
Díaz Reyes J., Castillo Ojeda R., & Martínez Juárez J. (2014). MULTILAYERS GROWTH OF AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs USING A SOLID-ARSENIC-BASED MOCVD SYSTEM. Revista Colombiana De Materiales, (5), 369-374. Recuperado a partir de https://revistas.udea.edu.co/index.php/materiales/article/view/19625