MULTILAYERS GROWTH OF AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs USING A SOLID-ARSENIC-BASED MOCVD SYSTEM

Abstract

Reportamos los resultados de los estudios relacionados con el crecimiento y caracterización de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs heteroestructuras epitaxiales obtenidos por MOCVD con arsénico sólido como precursor del arsénico en lugar de arsina como se utiliza en sistemas MOCVD convencionales. El uso de arsénico metálico introduce diferencias importantes en el proceso de crecimiento, debido a la ausencia del grupo precursor de hidruro (AsH3) que se manifiesta en las características eléctricas y ópticas del GaAs y sus aleaciones. La dificultad más grave para el crecimiento de capas epitaxiales de AlxGa1-xAs y GaAs por MOCVD-basado en arsénico es la incorporación de una gran cantidad de impurezas residuales como el carbono y el oxígeno provenientes de los compuestos organometálicos. Además, la morfología superficial de las capas finales presentan un alto grado de rugosidad que hace imposible la fabricación de dispositivos basados en efectos cuánticos con propiedades ópticas óptimas, aunque estas capas se pueden usar para la fabricación de otros tipos de dispositivos basados en múltiples capas. La homogeneidad de las muestras fue evaluada por fotoluminiscencia a baja temperatura y espectroscopia Raman.