CHARACTERIZATION OF ZnO NANOFILMS DEPOSITED BY CBD-AμW

Joel; Javier Martínez Juárez; David Hernández de la Luz

doi:10.17533/udea.rcm.19371

Autores

Joel Meritorious Autonomous University of Puebla
Javier Martínez Juárez Instituto Politécnico Nacional
David Hernández de la Luz Meritorious Autonomous University of Puebla

DOI:

https://doi.org/10.17533/udea.rcm.19371

Palavras-chave:

ZnO, Semiconductor de banda ancha, Deposición por baño químico, Rayos X

Resumo

Las propiedades físicas de las nanopelículas de ZnO son estudiadas como una función de la concentración de urea en la solución de crecimiento. ZnO es crecido mediante la técnica de deposición de baño químico activado por microondas (CBD-A μW). La estequiometria química se determinó por mediciones de espectroscopia de dispersión de energía (EDS) de las nanopelículas de ZnO. Mediante dispersión de rayos X se obtiene nanopelículas de ZnO policristalina una estructura tipo hexagonal wurtzita. Por espectroscopia Raman es confirmada la estructura cristalina tipo wurtzita de las películas de ZnO y sus espectros Raman muestran 4 picos principales en 444, 338, 104 y 78 cm-1 que corresponden a los modos E2 high, (E2 high - E2low), E2 low, que están asociados a las subredes del oxígeno y de zinc y una banda no identificada.

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Biografia do Autor

Joel, Meritorious Autonomous University of Puebla

Phd., Meritorious Autonomous University of Puebla, Puebla, México

Javier Martínez Juárez, Instituto Politécnico Nacional

Ph. D., CIBA, Instituto Politécnico Nacional. Tepetitla, Tlaxcala, México

David Hernández de la Luz, Meritorious Autonomous University of Puebla

Ph. D., Meritorious Autonomous University of Puebla, Puebla, México

Referências

Nomura, K., Kamiya, T., Ohta, H., Ueda, K., Hirano, M., Hosono, H., “Carrier transport in transparent oxide semiconductor with intrinsic structural randomness probed using single-crystallineInGaO3(ZnO)5films”,AppliedPhysicsLetters,Vol.85,No.11,pages1993-1995,2004. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1788897

Hao, X. T., Tan, L.W., Ong, K. S., Zhu, F., “High-performance low-temperature transparent conducting aluminum-doped ZnO thin films and applications”, Journal of Crystal Growth, Vol. 287, No. 1, pages 44-47, 2006. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.040

Ellmer, K., “Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 33, pages R17.-R32, 2000. DOI: https://doi.org/10.1088/0022-3727/33/4/201

Jagadish, C., Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures, First edition, Ed. Elsevier. England. 2006.

Calleja, J. M., Cardona, M., “Resonant Raman scattering in ZnO”, Physical Review B, Vol. 16, No. 8, pages 3753-3761, 1977. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.16.3753

Cuscó, R., Alarcón-Lladó, E., Ibáñez, J., Artús, J., Jiménez, J., Wang, B., Callahan, M. J., “Temperature dependence of Raman scattering in ZnO”, Physical Review B, Vol. 75, pages 165202-165202-11, 2007. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.165202

Serrano, J., Romero, A. H., Manjón, F. J., Lauck, R., Cardona, M., Rubio, M. A., “Pressure dependence of the lattice dynamics of ZnO: An ab initio approach”, Physical Review B, Vol. 69. pages 094306-1- 094306-14, 2004. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.094306

Weinstein, B. A., “Pressure dependent optical phonon anharmonicity in GaP”, Solid State Communications, Vol. 20, No. 10, pages 999-1003, 1976. 9.Serrano, J., Manjón, F. J., Romero, A. H., Widulle, F., Lauck, R., Cardona, M., “Dispersive Phonon Linewidths: The E2 Phonons of ZnO”, Physical Review Letters, Vol. 90, No. 5, pages 055510-1- 055510-4, 2003. DOI: https://doi.org/10.1016/0038-1098(76)90492-0