Análisis de desempeño de conmutadores de microondas serie - paralelo diseñados con diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores

Authors

  • Gabriela Leija-Hernández Instituto Politécnico Nacional
  • José Luis López-Bonilla Instituto Politécnico Nacional
  • Luis Alejandro Iturri-Hinojosa Instituto Politécnico Nacional

Keywords:

Diodos p-i-n, materiales semiconductores, conmutadores de señales microondas

Abstract


Se presenta un análisis del desempeño de conmutadores de señales microondas tipos serie y paralelo con base en diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Los materiales analizados son Si, GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb. El conmutador tipo serie diseñado con diodos p-i-n de GaSb, GaAs, Si y GaN-ZB alcanza menores valores de pérdidas de inserción con respecto a diodos de otros materiales. Se percibe una diferencia de 0,2dB aproximadamente entre las respuestas de pérdida de inserción utilizandodiodos de GaSb y SiC6H. Las respuestas más óptimas de aislamiento para frecuencias menores a 10 GHz se logra con conmutadores diseñados con diodos p-i-n de SiC y GaN. El conmutador de tipo paralelo diseñado con diodos p-i-n en base a GaN alcanza menores valores de pérdida de inserción respecto a diodos de otros materiales. Se perciben 0,2 dB aproximadamente de diferencia de pérdida de inserción entre las respuestas con diodos p-i-n de GaN y Si, en la frecuencia de 40 GHz, y una diferencia de 0,4 dB en la frecuencia de 60 GHz. Diodos p-i-n diseñados con GaN son los recomendados para el diseño de dispositivos conmutadores tipo paralelo.
|Abstract
= 16 veces | PDF (ESPAÑOL (ESPAÑA))
= 8 veces|

Downloads

Download data is not yet available.

References

A. Iturri Hinojosa, L. M. Resendiz, T. V. Torchynska. “Numerical Analysis of the Performance of PIN Diode Microwave Switches Based on Different Materials”. Materials Characterization Symposium at the XVIII International Materials Research Congress. Agosto 16-20. Cancun (Mexico). 2009.

PIN Diode Switch suits Wimax and Wi-Fi applications, M/A-COM Technology Solutions, Inc. http://news. thomasnet.com. Consultada el 25 de noviembre de 2009.

PHILIPS Electronics N.V. Application Note AN10173. 2000. pp. 1-2.

L. A. Iturri Hinojosa. Comparación de parámetros de dispositivos-diodos p-i-n de diferentes materiales para aplicaciones en antenas de arreglos de fase y sistemas radares. Tesis. Sección de Estudios de Posgrado e Investigación. UPIITA. Instituto Politécnico Nacional. México. D. F. 2010. pp. 85-100.

J. Putnam, M. Fukuda, P. Staecker, Y-H.Yun. “A 94 GHz monolithic switch with a vertical PIN diode structure”. IEEE GaAs IC Symposium. Octubre 16-19. 1994. pp. 333-336.

E. Alekseev, D. Pavlidis, J. Dickmann, T. Hackbarth. “W-Band InGaAs/InP Diode Monolithic Integrated Switches”. IEEE.. GaAs IC Symposium. Noviembre 3-6. 1996.

Gerald Hiller. Design with PIN Diodes. App Note 1002. Alpha Industries Inc. pp. 1-14.

J. White. Microwave Semiconductor Engineering. Ed. Van Nostrand Reinhold Company. New York. 1982. pp. 1-105.

R. Caverly, Hiller G. “Microwave Resistance of Gallium Arsenide and Silicon p-i-n Diodes”. IEEE MTT-S Digest. Vol. 2. 1987. 99. 591-594.

National Semiconductor Corporation (NSM). http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/. 2009. Consultada el 25 de noviembre de 2009.

S. M. Sze. Semiconductor Devices. 2ª. ed. Ed. John Wiley & Sons. New York. 2002. pp. 17-44.

Published

2013-02-27

How to Cite

Leija-Hernández, G., López-Bonilla, J. L., & Iturri-Hinojosa, L. A. (2013). Análisis de desempeño de conmutadores de microondas serie - paralelo diseñados con diodos p-i-n de diferentes materiales semiconductores. Revista Facultad De Ingeniería Universidad De Antioquia, (58), 183–190. Retrieved from https://revistas.udea.edu.co/index.php/ingenieria/article/view/14613
w