Estados moleculares de puntos cuánticos acoplados lateralmente bajo campos eléctricos

Autores/as

  • Carlos Teofilo Corredor Universidad Industrial de Santander
  • Willian Gutiérrez Universidad Industrial de Santander

DOI:

https://doi.org/10.17533/udea.redin.15984

Palabras clave:

molécula artificial, dos puntos cuánticos acoplados lateralmente, espectro energético de un electrón, estados moleculares, emisor de un único fotón con longitud de onda sintonizable

Resumen

En el marco de las aproximaciones de masa efectiva y de la función envolvente, se realiza un estudio teórico de los estados de un electrón atrapado en un sistema formado por dos puntos cuánticos acoplados lateralmente. Se estudia el tunelamiento electrónico mediante la variación de la distancia entre puntos y  se  muestra  que  el  acople  cuántico  lateral  que  existe  entre  estos  permite  la  formación  de  estados  moleculares,  los  cuales  exhiben  características  similares a los de una molécula H2+. Se analiza el efecto de un campo eléctrico orientado en el plano de la estructura sobre el espectro de energía y nuestros resultados  revelan  que  la  longitud  de  onda  de  los  fotones  emitidos  por  el  sistema puede ser sintonizada mediante la aplicación de un campo eléctrico de baja intensidad. Esta característica última es consistente con observaciones experimentales.

 

|Resumen
= 120 veces | PDF (ENGLISH)
= 51 veces|

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Biografía del autor/a

Carlos Teofilo Corredor, Universidad Industrial de Santander

Escuela de Física.

Willian Gutiérrez, Universidad Industrial de Santander

Escuela de Física.

Citas

K. Brunner, U. Bockelmann, G. Abstreiter, M. Walther, G. Böhm, G. Tränkle, G. Weimann. “Photoluminescence From a Single GaAs/AlGaAs Quantum Dot”. Physical Review Letters. Vol. 69. 1992. pp. 3216-3219. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.69.3216

J. Marzin, J. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, G. Bastard. “Photoluminescence of Single InAs Quantum Dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs”. Physical Review Letters. Vol. 73. 1994. pp. 716-719. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.73.716

R. Ashoori. “Electrons in Artificial Atoms”. Nature. Vol. 379. 1996. pp. 413-419. DOI: https://doi.org/10.1038/379413a0

L. Kouwenhoven. “Coupled Quantum Dots as Artificial Molecules”. Science. Vol. 268. 1995. pp. 1440. DOI: https://doi.org/10.1126/science.268.5216.1440

G. Schedelbeck, W. Wegscheider, M. Bichler, G. Abstreiter. “Coupled Quantum Dots Fabricated by Cleaved Edge Overgrowth: From Artificial Atoms to Molecules”. Science. Vol. 278. 1997. pp. 1792-1795. DOI: https://doi.org/10.1126/science.278.5344.1792

M. Pioro, M. Abolfath, P. Zawadzki, J. Lapointe, S. Studenikin, A. Sachrajda, P. Hawrylak. “Charge Sensing of an Artificial H2+ Molecule in Lateral Quantum Dots”. Physical Review B. Vol.72. 2005. pp. 1-5.

M. Korkusinski, P. Hawrylak. “Electronic Structure of Vertically Stacked Self-assembled Quantum Disks”. Physical Review B. Vol. 63. 2001. pp. 1-7. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.63.195311

L. He, G. Bester, A. Zunger. “Electronic asymmetry in Self-assembled Quantum dot Molecules Made of Identical InAs/GaAs Quantum Dots”. Physical Review B. Vol.72. 2005. pp. 1-7. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.195307

W. Gutiérrez, J. Marin, I. Mikhailov. “Charge Transfer Magnetoexciton Formation at Vertically Coupled Quantum Dots”. Nanoscale Research Letters. Vol. 7. 2012. pp. 585. DOI: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-585

I. Mikhailov, L. García, J. Marín. “Vertically Coupled Quantum Dots Charged by Exciton”. Microelectronics Journal. Vol. 39. 2008. pp. 378-382. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.046

J. Planelles, J. Climente, F. Rajadell, M. Doty, A Bracker, D. Gammon. “Effect of Strain and Variable Mass on the Formation of Antibonding Hole Ground States in InAs Quantum Dot Molecules”. Physical Review B. Vol. 82. 2010. pp. 1-8. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.155307

E. Muñoz, Z. Barticevic, M. Pacheco. “Electronic Spectrum of Two Coupled Semiconductor Quantum Disks Under External Fields”. Microelectronics Journal. Vol. 34. 2003. pp. 733-736. DOI: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00114-9

P. Stano, J. Fabian. “Spin-orbit Effects in Single-electron States in Coupled Quantum Dots”. Physical Review B. Vol. 72. 2005. pp. 1-14. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.155410

M. Raith, P. Stano, J. Fabian. “Theory of Single Electron Spin Relaxation in Si/SiGe Lateral Coupled Quantum Dots”. Physical Review B. Vol. 83. 2011. pp. 1-9. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195318

J. Climente, J. Planelles. “Characteristic Molecular Properties of One-electron Double Quantum Rings Under Magnetic Fields”. Journal of Physics: Condensed Matter. Vol. 20. 2008. pp. 1-8. DOI: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/03/035212

D. Bouwmeester, A. Ekert, A. Zeilinger. The Physics of Quantum Information. 1st ed. Ed. Springer. Berlin, Germany. 2000. pp. 133-175. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-04209-0

M. Califano, P. Harrison. “Presentation and Experimental Validation of a Single-band, Constant-Potential Model for Self-assembled InAs/GaAs quantum dots”. Physical Review B. Vol. 61. 2001. pp. 10959-10965. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.10959

L. Landau, E. Lifshitz. Quantum Mechanics, Non-Relativistic Theory. 3rd ed. Ed. Pergamon Press. Oxford, England. 1977. pp. 302-305.

G. Beirne, C. Hermannstädter, L. Wang, A. Rastelli, O. Schmidt, P. Michler. “Quantum Light Emission of Two Lateral Tunnel-coupled (In,Ga)As/GaAs Quantum Dot controlled by a Tunable Static Electric Field”. Physical Review Letters. Vol. 96. 2006. pp. 1-4. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.137401

Descargas

Publicado

2014-02-12

Cómo citar

Corredor, C. T., & Gutiérrez, W. (2014). Estados moleculares de puntos cuánticos acoplados lateralmente bajo campos eléctricos . Revista Facultad De Ingeniería Universidad De Antioquia, 71(71), 17–24. https://doi.org/10.17533/udea.redin.15984